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半導體行業(yè)碳化硅長(cháng)晶爐應用案例

發(fā)布日期:2024-09-12

物理氣相傳輸法(PVT)是制備碳化硅(SiC)晶體的主流方法之一,PVT法生長(cháng)SiC單晶,溫度高達2300℃,生長(cháng)過(guò)程需嚴格控制生長(cháng)溫度梯度,其溫度控制系統為閉環(huán)控制,由紅外測溫儀、溫控器加熱電源以及加熱器(感應線(xiàn)圈)組成。

系統框圖:

圖片1.png

宇電AI系列人工智能調節器

1、AI-8x9系列

2、AI-MODBUS-TCP1-24VDC

成功應用于國內某半導體裝備制造頭部企業(yè)碳化硅長(cháng)晶爐,該系統溫度的精確控制,儀表兼容多類(lèi)型輸入/輸出規格,具備可調的控制周期及報警功能,通訊兼容RS485及RS232,且可匹配外部TCP模塊實(shí)現MODBUS-TCP便捷通訊。

溫度控制效果:

圖片2.png

圖片3.png

圖片4.png

溫度控制效果:溫度波動(dòng)≤±0.5℃@2200℃,溫度超調、穩定時(shí)間等指標均與英國競品水平相當,經(jīng)終端客戶(hù)驗證,可完全平替國外競品,成功實(shí)現國產(chǎn)替代。


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